晶体谐振器的主要技术指标介绍

标称频率：振荡器输出的中心频率或频率的

频率准确度：振荡器输出频率在室温(25℃±2℃)下相对于标称频率的偏差。

调整频差：在特定温度范围内振荡器输出频率相对于25℃时测量值的较大允许频率偏差。

负载谐振频率（fL）：在规定条件下，CMOS输出电压可调振荡器厂家，晶体与一负载电容相串联或相并联，其组合阻抗呈现为电阻性时（产生谐振）的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时，负载谐振频率是两个频率中较低的一个，CMOS输出电压可调振荡器，在并联负载电容时，则是两个频率中较高的一个。

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DRO系列压控振荡器是一种基本的窄带信号源，它利用高Q介质谐振器实现了好的相位噪声性能。目前，DRO VCO解决方案适用于在7至14 GHz范围内工作的频率。该可定制的超低噪声振荡器系列可提供电气调谐和机械调谐，以实现精细的频率精度

CRO或陶瓷谐振器系列振荡器以提供出色的相位噪声性。 它们在范围内可用从400 MHz到8 GHz的任何频率，同时提供非常低的调谐灵敏度以优化性能。 

压控振荡器的性能及优势

集成基波振荡器，CMOS输出电压可调振荡器价格，因此器件中的任何乘法效应不会生成次谐波信号音缩短VCO频段之间的切换时间，CMOS输出电压可调振荡器生产厂家，且不会导致电压过冲低电源电流功耗（低至60mA典型值）与传统单频段宽带VCO相比，调谐电压更低，以及更窄的灵敏度频率比，从而降低环路滤波器设计的复杂性采用40引脚6x6mm LFCSP SMT封装

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